词条:价层电子对互斥模型
英文:(Valence Shell Electron Pair Repulsion Theory)
简称: VSEPR模型
简介在1940年，希吉维克(Sidgwick)和坡维尔(Powell)在总结实验事实的基础上提出了一种简单的理论模型，用以预测简单分子或离子的立体结构。这种理论模型后经吉列斯比(R.J,Gillespie)和尼霍尔姆(Nyholm)在20世纪50年代加以发展，定名为价层电子对互斥模型，简称VSEPR(Valence Shell Electron Pair Repulsion)。
价层电子对互斥理论(英文VSEPR)，是一个用来预测单个共价分子形态的化学模型。理论通过计算中心原子的价层电子数和配位数来预测分子的几何构型，并构建一个合理的路易斯结构式来表示分子中所有键和孤对电子的位置。同时，也是一种较简便的判断共价分子几何形状的方法，该理论紧紧抓住中心原子价层电子对数目这一关键因素，运用分子的几何构型取决于价层电子对数目这一假设，成功的解释并推测了许多简单分子的几何形状.
基本规则总结对于一个中心原子和配位原子，我们首先计算价层电子的对数P，即有多少对电子。(孤对电子数目+成键电子数(包括配位原子的成键电子)目除以2)，为了尽可能的分开。P=2为直线，P=3为平面，P=4为四面体，P=5为三角双锥，p=6为八面体，p=7为五角双锥。
1.不同键电子对之间排斥作用的大小顺序为:三键排斥>双键排斥>单键排斥。
2.孤对电子与键对电子间的排斥大小为:孤对/孤对>孤对/键对>键对/键对。
3.配位原子的电负性增大或中心原子电负性减小，也会使键角偏离标准值.端原子电负性增加时，共享电子对将偏向配位体，从而减少成键电子对之间的斥力，键角的度数随之减小。
4.价电子对的相邻电子对越多，所受斥力就越大，距离原子核也越远。
VSEPR能够广泛预测定性预测各类ABn型分子的几何构型，但也有例外.例如BaI2，SrCl2都是弯曲形构型而非预计的直线性型;对过渡金属化合物几何构型的判断也有一定的局限性，对于过渡元素配位场理论则能更好说明。